SGRAM-GDDR5 EMMC Bellek Yongaları 32 Bit 4G 128MX32 SMD SMT

Ürün Açıklaması

EDW4032BABG-70-FR Orijinal DRAM GDDR5 4G 128MX32 FBGA Bellek

Özellikler

• VDD = VDDQ = 1,6V/1,55V/1,5V ±%3 ve 1,35V ±%3

• Veri hızı: 6,0 Gb/sn, 7,0 Gb/sn, 8,0 Gb/sn

• 16 dahili banka • tCCDL = 3 tCK için dört banka grubu

• 8n-bit ön getirme mimarisi: x32 için dizi başına 256-bit okuma veya yazma erişimi;x16 için 128 bit • Seri çekim uzunluğu (BL): yalnızca 8

• Programlanabilir CAS gecikmesi: 7–25

• Programlanabilir YAZMA gecikmesi: 4–7

• Programlanabilir CRC READ gecikmesi: 2–3

• Programlanabilir CRC WRITE gecikmesi: 8–14

• CDR için programlanabilir EDC tutma düzeni

• Ön şarj: Her seri erişim için otomatik seçenek

• Otomatik yenileme ve kendini yenileme modları

• Yenileme döngüleri: 16.384 döngü/32ms

• Arayüz: Sözde açık tahliye (POD-15) uyumlu çıkışlar: 40Ω aşağı çekme, 60Ω yukarı çekme

• Kalıp üzerinde sonlandırma (ODT): 60Ω veya 120Ω (NOM)

• Harici direnç ZQ pini ile ODT ve çıkış sürücüsü gücü otomatik kalibrasyonu: 120Ω

• Programlanabilir sonlandırma ve sürücü gücü ofsetleri

• Veri girişleri için seçilebilir harici veya dahili VREF;dahili VREF için programlanabilir ofsetler

• Adres/komut girişleri için ayrı harici VREF

• TC = 0°C ila +95°C

• EDC pimi ile açılışta ayarlanmış x32/x16 modu yapılandırması

• Veri, adres ve komut için tek uçlu arayüz

• Adres ve komutlar için çeyrek veri hızı diferansiyel saat girişleri CK_t, CK_c

• Her biri iki veri baytı (DQ, DBI_n, EDC) ile ilişkili iki yarım veri hızı diferansiyel saat girişi, WCK_t ve WCK_c

• DDR verileri (WCK) ve adresleme (CK)

• SDR komutu (CK)

• Adres yolu üzerinden veri maskesi fonksiyonu yaz (tek/çift bayt maskesi)

• Veri yolu ters çevirme (DBI) ve adres yolu ters çevirme (ABI)

• Giriş/çıkış PLL açık/kapalı modu

• Veri saati (WCK) için görev döngüsü düzelticisi (DCC)

• Dijital RAS kilidi