MT40A512M16HA-083E Flash Bellek IC Dram 8 Gbit 512Mx16

Ürün Açıklaması

MT40A512M16HA-083E:Bir Bellek IC'leri DRAM SDRAM - DDR4 SMD/SMT Tepsisi

• VDD = VDDQ = 1,2V ±60mV

• VPP = 2.5V, –125mV, +250mV

• Kalıpta, dahili, ayarlanabilir VREFDQ üretimi

• 1,2V sözde açık tahliye G/Ç

• TC sıcaklık aralığında 8192 döngü yenileme süresi: – -40°C ila 85°C'de 64ms – >85°C ila 95°C'de 32ms – >95°C ila 105°C'de 16ms

• 16 dahili banka (x4, x8): her biri 4 bankadan oluşan 4 grup

• 8 dahili banka (x16): her biri 4 bankadan oluşan 2 grup

• 8n-bit önceden getirme mimarisi

• Programlanabilir veri flaşı girişleri

• Veri flaşı giriş eğitimi

• Komut/Adres gecikmesi (CAL)

• Çok amaçlı kayıt OKUMA ve YAZMA özelliği

• Düzey yazma • Kendi kendini yenileme modu

• Düşük güçte otomatik kendini yenileme (LPASR)

• Sıcaklık kontrollü yenileme (TCR)

• İnce ayrıntı düzeyinde yenileme

• Kendi kendini yenilemeyi iptal et

• Maksimum güç tasarrufu

• Çıkış sürücüsü kalibrasyonu

• Nominal, park ve dinamik kalıp üzerinde sonlandırma (ODT)

• Veri yolu için veri yolu ters çevirme (DBI)

• Komut/Adres (CA) paritesi

• Veriyolu yazma döngüsel artıklık denetimi (CRC)

• DRAM başına adreslenebilirlik

• Bağlantı testi

• JEDEC JESD-79-4 uyumlu

• sPPR ve hPPR özelliği